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    芯片/顯示

    LED電學、光學、熱學特性(一)

    星之球激光 來源:21ic2012-08-18 我要評論(0 )   

    LED 電子顯示屏是利用化合物材料制成pn結的光電器件。它具備pn結結型器件的電學特性:I-V特性、C-V特性和光學特性:光譜響應特性、發光光強指向特性、時間特性以及熱學...

          LED電子顯示屏是利用化合物材料制成pn結的光電器件。它具備pn結結型器件的電學特性:I-V特性、C-V特性和光學特性:光譜響應特性、發光光強指向特性、時間特性以及熱學特性。

      1、LED電學特性

      1.1I-V特性表征LED芯片pn結制備性能主要參數。LED的I-V特性具有非線性、整流性質:單向導電性,即外加正偏壓表現低接觸電阻,反之為高接觸電阻。

      (1)正向死區:(圖oa或oa′段)a點對于V0為開啟電壓,當V<Va,外加電場尚克服不少因載流子擴散而形成勢壘電場,此時R很大;開啟電壓對于不同LED其值不同,GaAs為1V,紅色GaAsP為1.2V,GaP為1.8V,GaN為2.5V。

      (2)正向工作區:電流IF與外加電壓呈指數關系

      IF=IS(eqVF/KT-1)-------------------------IS為反向飽和電流。

      V>0時,V>VF的正向工作區IF隨VF指數上升IF=ISeqVF/KT

      (3)反向死區:V<0時pn結加反偏壓

      V=-VR時,反向漏電流IR(V=-5V)時,GaP為0V,GaN為10uA。

      (4)反向擊穿區V<-VR,VR稱為反向擊穿電壓;VR電壓對應IR為反向漏電流。當反向偏壓一直增加使V<-VR時,則出現IR突然增加而出現擊穿現象。由于所用化合物材料種類不同,各種LED的反向擊穿電壓VR也不同。

            

            1.2 C-V特性

      鑒于LED的芯片有9×9mil(250×250um),10×10mil,11×11mil(280×280um),12×12mil(300×300um),故pn結面積大小不一,使其結電容(零偏壓)C≈n+pf左右。

      C-V特性呈二次函數關系。

      1.3 最大允許功耗PFm

      當流過LED的電流為IF、管壓降為UF則功率消耗為P=UF×IF#p#分頁標題#e#

      LED工作時,外加偏壓、偏流一定促使載流子復合發出光,還有一部分變為熱,使結溫升高。若結溫為Tj、外部環境溫度為Ta,則當Tj>Ta時,內部熱量借助管座向外傳熱,散逸熱量(功率),可表示為P=KT(Tj-Ta)。

      1.4 響應時間

      響應時間表征某一顯示器跟蹤外部信息變化的快慢。現有幾種顯示LCD(液晶顯示)約10-3~10-5S,CRT、PDP、LED都達到10-6~10-7S(us級)。

      ①響應時間從使用角度來看,就是LED點亮與熄滅所延遲的時間,即圖中tr、tf。圖中t0值很小,可忽略。

      ②響應時間主要取決于載流子壽命、器件的結電容及電路阻抗。

      LED的點亮時間--上升時間tr是指接通電源使發光亮度達到正常的10%開始,一直到發光亮度達到正常值的90%所經歷的時間。

      LED熄滅時間--下降時間tf是指正常發光減弱至原來的10%所經歷的時間。

      不同材料制得的LED響應時間各不相同;如GaAs、GaAsP、GaAlAs其響應時間<10-9S,GaP為10-7S。因此它們可用在10~100MHZ高頻系統。

     

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